2013年3月1日 星期五

[數碼新聞]HGST融合分子自組裝與納米印刷技術可提高硬碟存儲密度令單碟容量提升

HGST


Western Digital 旗下 HGST 1 日宣佈,已通過將融合 self-assembling molecules ( 分子自組裝 ) 和 nanoimprinting ( 納米印刷 ) 技術,成功創造出大面積高密度存儲介質,其 magnetic islands 磁島寬度只有 10nm ,是目前硬碟技術的兩倍,可望於未來數年內大幅提高機械硬碟的存儲密度,讓單碟容量可望提升。

據 HGST 表示,新技術能夠讓 magnetic islands 磁島寬度只相當於大約 50 個原子寬,或者人類頭髮絲的十萬分之一。其中,自組裝分子使用的雜化聚合物,為互相排斥的段組成的嵌段共聚物,表面上作為薄膜塗層,聚合物鏈段的大小決定的行間距,結合轉換為模板的納米壓印,將納米尺度模式到一個芯片或磁盤基板的模式,令 magnetic islands 磁島寬度只有 10nm 。

HGST 還提供了路線圖,指出如何經濟有效地提遠遠升磁島密度,無需使用任何傳統的光刻技術便可令硬碟尺寸更小。目前 HGST 實驗室已測試出其出色的讀寫速度和資料保存能力,擴展到整個硬碟之後,將可望達到超過一萬億個磁島,進而降低晶格介質 (bit-patterned media) 的成本,並可望於未來數年內大幅度提高機械硬碟的存儲密度。

此外,據 HGST Research 副總裁 Currie Munce 表示,新興的自組裝分子和納米壓印技術將產生巨大的影響,使納米製造成為一個成本效益的方式,並增加在磁性硬盤驅動器上的數據密度。



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