繼去年 11 月開始生產 10 nm-class 64Gb MLC NAND Flash 記憶體顆粒後， Samsung 日前宣佈，將大規模生產採用 10nm 製程的 128Gb 3-bit MLC NAND flash 快閃記憶體顆粒，除了提供高速傳輸之外，更能進一步提升儲存產品的容量，以應付嵌入式 NAND 存儲和 SSD 等未來高密度存取需求。
據 Samsung 表示，是次發佈的 128Gb NAND flash 快閃記憶體顆粒基於 3-bit 和 10 nm 製程而成，擁有目前業界最高的密度，基於 DDR2.0 介面，支援最高 400Mbps 資料傳輸速度。
隨著現時針對高畫質影片儲存需要，低容量記憶卡已漸不敷應用，透過全新的 128Gb 3-bit MLC NAND flash 快閃記憶體顆粒， Samsung 將會擴大 128GB 容量記憶卡，並可儲存多達 16 個容量達 8GB 的高畫質影像檔案。同時，也可針對電腦系統，提供容量超越 500GB 或以上的 SSD 產品。
另一方面，全新的 128GB 的 3bit MLC NAND flash 快閃記憶體顆粒的生產力較 20nm- class 64Gb MLC NAND flash 快閃記憶體顆粒提升 2 倍。
.採用10nm製程、支援400Mbps傳輸Samsung 128Gb 3-bit MLC NAND flash
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