日前，三星宣佈在全球範圍內率先批量投產採用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”，而韓國巨頭並沒有讓這種新型閃存閒著。僅僅一周後的2013年閃存峰會上，三星就發布了第一款基於3D V-NAND閃存的固態硬盤產品，名字就直截了當地叫做“ V-NAND SSD ”。
V-NAND SSD採用標準的2.5寸規格，厚度為7毫米，但主要面向企業級市場，已於本月初投產，不過出貨時間未公佈。 它提供了960GB、480GB兩種容量版本，其中前者性能最佳，持續和隨機寫入速度提升超過20％、功耗降低超過40％ (沒有給出對比對象)，採用了64顆MLC 3D V- NAND閃存內核，每一顆容量128Gb(16GB)，同時搭配SATA 6Gbps主控制器。
三星宣稱，3D V-NAND在極大提高存儲密度的同時，還解決了閃存進入1xnm工藝時代後的可靠性和耐用性問題，V-NAND SSD的編程/擦寫循環次數高達3.5萬，相比之下25/20nm的普通型MLC NAND才不過3000次。
三星的3D V-NAND閃存內部採用三星獨有的垂直單元結構，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列，可以將最多24個單元層堆疊在一起。
三星表示會繼續研發下一代3D V-NAND，但沒有透露何時會推向消費級市場。
.超級耐用！三星全球首推3D垂直閃存SSD
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