Micron 14 日宣佈剛於 Flash Memory Summit 2013 ( 閃存峰會 2013) 上發表 16nm NAND 工藝技術，實現了現時 NAND 業界中最小的 128GB MLC NAND 閃存設備， 同時更獲得閃存峰會 2013 的創新產品和解決方案年度最佳獎項。
是次創新產品和解決方案年度最佳獎項由 Flash Memory Summit 2013 ( 閃存峰會 2013) 專家小組評估，根據應用技術獨特性，閃存技術的創新以及該技術市場意義等作為標準。
透過最新發表的 16nm NAND 工藝，讓 NAND Flash 可在現有的多層單元設備 (MLC) 中，提供平方毫米位寬最高，而且價格最低廉的方案 ，並可在單一晶圓上創造幾乎可達 6 TB 的存儲量。
據 Micron 表示，最新發表的 16nm NAND 工藝讓 Micron 延伸了市場地位，並，提供現時世界上最小的 128GB MLC 設備，並提供符合絕佳成本效益的方案，以配合消費類固態硬盤、移動存儲設備、平板電腦，超薄設備，手機和雲存儲數據中心等應用市場。
而據是次獎項計劃的主席 Jay Kramer 表示，今年快閃記憶體高峰會獎委員會應為 Micron 16nm NAND 技術能夠產出業界最小的 128GB MLC NAND 閃存設備，對該行業的半導體技術提供了大躍進，同時也提升了 Flash 技術價值，因此委員會不得不選擇成為最具創新性的閃存記憶體技術。
.實現最小128GB MLC NAND閃存設備 Micron 16nm NAND獲閃存峰會肯定
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