為針對嵌入式 NAND 存儲和固態硬碟應用市場，並加速 NANA Flash 快閃記憶體技術發展， Samsung Electronics 6 日於其官方網站中宣佈目前已正式量產採用 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶體，採用垂直單元結構，能夠突破目前 NAND Flash 快閃記憶體技術的縮放比例限制，提升性能和面積比的計率，而且也可提升可靠性表現。
據 Samsung Electronics 表示，過去 40 年來， Samsung Electronics 一直專注研發傳統平面結構的快閃記憶體。由於製造工藝技術進入 10nm 製程，其比例限制變得更大，加上可靠性也會受到影響並提升開發成本和時間，因此 Samsung 早前研究利用 3D 垂直設計技術生產 V-NAND 快閃記憶體。
新推出的 V-NAND 利用基於 3D 電荷捕獲型 NANA Flash(CTF) 技術和垂直互連工藝技術，利用垂直單元結構，在單一芯片上可提供 128 Gb 容量，透過這些技術讓 3D V-NAND 能夠提供比現時 20 nm 平面 NAND Flash 多 2 倍擴展能力。
通過全新的 3D 結構的平面細胞層垂直堆疊，在 CTF NAND 的架構中，電荷被暫時放置的非導電層的快閃記憶體中，採用矽氮化物以防止相鄰小區之間的幹擾，通過使用 3D CTF 層的 NAND Flash ，並可靠性和速度大幅改善，而且新的 3D V-NAND 也可獲提升 2 至 10 倍的可靠性，同時比傳統的 10nm 級浮柵 NAN Flash 提升 2 倍寫入性能。
更重要的是新技術成就了 Samsung V-NAND 的垂直互連過程技術，可以垂直堆疊多達 24 個細胞層，利用特殊的蝕刻技術，從最高層到最底層打孔連接，隨著新的垂直結構，增加 3D 細胞層而不必繼續平面縮放，讓 Samsung 可以實現更高密度的 NAND Flash 產品。而據了解，目前 Samsung 已就 3D 存儲技術上擁有 300 多項專利。
據市場分析機構 IHS iSuppli 指出，接目前全球 NAND Flash 快閃記憶體市場市場分析，預期 2016 年 NAND Flash 市場可獲約 308 億美元收入，比較 2013 年預估的 236 億美元有 11% 的複合年增長率。
而據 Samsung Electronics Flash 產品及技術高級副總栽 Jeong-Hyuk Choi, 表示，新的 3D V-NAND Flash 技術是員工多年來努力推動超越傳統的思維方式和追求更創新的方法，以及克服內存半導體技術設計限制的成果 ， Samsung 將大規模生產 3D NAND Flash 產品，並繼續推出具有更高性能和更高密度的 3D V-NAND 產品，藉此有助全球記憶體產業的進一步增長。
.採用3D垂直設計、突破縮放比例限制 Samsung將量產VNAND快閃記憶體
http://digital1010.blogspot.com/2013/08/3d-samsungvnand.html
