Samsung 電子宣佈，已經開始大規模生產128Gb，3-bit MLC NAND閃存芯片，並且採用10nm製程。
Samsung 表示，新的 Samsung 128Gb閃存，擁有400Mbps數據傳輸速率，採用DDR 2.0接口。產品針對未來的高密度內存解決方案，如嵌入式NAND存儲和固態驅動器（SSD）。 Samsung 表示，該公司將擴大其供應的128GB內存卡，也準備研發容量超過500GB的固態硬盤。
Samsung 內存銷售及市場營銷執行副總裁表示，這種新的芯片是 Samsung NAND閃存進化關鍵，及時生產將提高 Samsung 在高密度閃存存儲市場的競爭力。
2012年11月， Samsung 推出64Gb NAND閃存芯片，採用10nm工藝生產。
. Samsung 大規模生產128Gb MLC閃存芯片
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