SK Hynix 20 日宣佈現時正開始大規模批量生產採用目前業界最薄的 16nm 製程 64Gb MLC NAND Flash 快閃記憶體顆粒，為大規模生產的第二個版本，能夠擁有更少的記憶體顆粒尺寸，同時提升成本競爭力。另一方面， SK Hynix 也宣佈正開發 128Gb 容量版本，預期將於明年年初開始大規模生產。
一般而言，採用越薄程製技術在收縮細胞之間發生下將會產生頻繁的幹擾，但在 SK Hynix 採用最新氣隙技術下，可構建絕緣屏蔽使絕緣物質在路之間形成真空，以克服細胞之間的幹擾。
據 SK Hynix Flash 技術開發部門高級副總裁 Jin Woong Kim 表示，其高密度 NAND 閃存產品組合得益於 16nm 的 128Gb MLC 的發展， SK Hynix 開始大規模生產業界最薄的 16nm 產品，目前正計劃積極響應客戶的需求，為用戶提供具有高可靠性和耐久性的 NAND 快閃記憶體產品。
此外， SK Hynix 亦指出公司今後將會繼續加強其在 NAND 快閃記憶體解決方案的競爭力，同時加快發展的 TLC 和 3D NAND 快閃記憶體技術。
.SK Hynix 正量產16nm 64Gb NAND Flash預期128Gb容量版本將於明年初加入量產 數碼新聞,
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