通信行業的一哥高通今天再次確立了自己的老大地位：正式推出第四代3G/LTE多模基帶“Gobi MDM9x35”，以及相應的射頻收發器芯片“WRT3925”。
MDM9x35支援全球性的載波聚合，TDD-LTE、FDD-LTE Cat.6制式頻寬最高均可達40MHz，理論下載速率最高300Mbps，是目前LTE-A Cat.4 150Mbps的整整兩倍，同時也繼續支援已有的其它各種制式，包括DC-HSPA、EVDO Rev. B、CDMA 1x、GSM/EDGE、TD-SCDMA等等，包括雙載波HSUPA、雙頻段多載波HSPA+。
與此同時，它還是全球第一款採用20nm工藝製造的基帶，確切地說是台積電的20nm SoC (明年初量產)，這也是第一款公開宣佈的基於此工藝的產品。
WRT3925收發器也是個狠角色，第一次使用了28nm RF CMOS製造工藝，而此前的WTR1605/WTR1625L都還是65nm RF CMOS，同時也是高通第一個支援3GPP規範批准的所有載波聚合頻段的單芯片射頻收發器，可讓運營商將所有零碎的頻段(5MHz、10MHz、15MHz、20MHz)整合在一起，提升服務質量。
它還集成了高通的IZat定位平台，能在全球範圍內實現精準的室內定位。
高通表示，這兩款芯片都經過了特別設計，功耗更低，面積更小，集成度更高，性能更強。它們倆加上高通的RF360前端方案，將組成流動通信行業最頂級的LTE平台。
再加上同時發佈的驍龍805，高通的流動全平台製霸依然無可撼動。
MDM9x35、WRT3925將於明年初向客戶提供樣品。
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