近期不少廠商為 NAND Flash 市場積極創新，據外電報導指出，由來美國的 Crossbar 5 日在其官方網站宣佈，自主研發一款提供大容量、高性能和非易失性存儲的 Resistive RAM 電阻式記憶體，可在 200mm 面積的晶片下提供最多 1TB 儲存容量，而且寫入效能、可靠性和耐用性也比較現時 NAND Flash 得到倍數增長。
據報導指出， Crossbar 研發的 Resistive RAM 電阻式記憶體採用三層式結構，相容主流的 CMOS 製造工藝，透過 3D 堆疊進一步擴大容量，每一個存儲單元會放置在橫豎交錯的互連層內，形成頂部金屬電極、中層切換媒介以及底部電極的結構。
透過 3D 堆疊， Resistive RAM 電阻式記憶體能夠提供比現時一般 NAND Flash 快閃記憶體快 20 倍的寫入性能，也可在 125 ℃環境下使用長達 10 年的壽命，而且功耗也較 NAND Flash 低，同時 Resistive RAM 電阻式記憶體擁有面積更細少的優勢。
據了解， Resistive RAM 電阻式記憶體應用習面廣泛，可適用於智慧型手機、平板電腦、固態硬碟、伺服器以及消費電子產品之中，目前正積極投入嵌入式 SoC 市場。
.200mm面積下儲存1TB容量資料 Crossbar推出Resistive RAM
http://digital1010.blogspot.com/2013/08/200mm1tb-crossbarresistive-ram.html
