為針對快閃記憶體卡和 USB 硬碟等具價格競爭力的移動存儲應用， Micron 日前宣佈推出業界最小的 20nm 三層 NAND 存儲單元 (Triple-Level-Cell) 128 Gigabit NAND 快閃記憶體，面積僅 146mm2，比較同等容量的 MLC NAND 小 25% 以上。
據 Micron 表示，是次宣佈推出的 128Gb TLC 設備主要針對具價格競爭力的移動記憶體市場，並在 2013 年一季度將佔整個 NAND 容量的 35% ，將使消費類存儲應用提高到一個新階段。
目前， Micron 正向一些選定的客戶提供 128Gb TLC NAND 樣品，預期將於二季度投產，而 Micron 亦表示將會不斷豐富其快閃記憶體解決方案的產品組合，以滿足市場需要。
.[數碼新聞]較MLC NAND小25%以上Micron推出 20nm 128Gb TLC NAND
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