記憶體顆粒廠商 SK Hynix 30 日宣佈，目前已經採用 20nm 製程開發 6Gb LPDDR3 記憶體顆粒，可透過堆疊達成實現高密度 3GB 容量記憶體，較現時的 4Gb 顆粒能夠減省 30% 運行功率，而且封裝的高度變得更薄，目前產品樣本已提供予客戶，預期將於 2014 年初開始大規模生產。
新的 6Gb LPDDR3 記憶體顆粒擁有更低運作功耗、待機電流以及令封裝變得更薄，工作在超低電壓為 1.2V ，可滿足利動裝置應用的需要，並可利用 POP 封裝到行動裝置之中，最高可支援達 1866Mbps 速率，介面為 32bit 可在單通道頻寬下達成 7.4GB/s 傳輸，雙通道則為 14.8GB/s 。
6Gb LPDDR3 記憶體顆粒預期會封裝成以 3GB LPDDR3 為主，主要應用在高端的行動設備上，並預期由上半年開始一直加載到 2015 年。 SK Hynix 正計劃加強在行動裝置市場的高性能記憶體產品技術開發，並積極擴展多元化的產品組合。
據 SK Hynix 高級副總裁暨全球銷售營銷主管 Richard Chin 表示，繼早前曾於 6 月嘗試開發高密度 8Gb LPDDR3 記憶體後，是次的 6Gb LPDDR3 記憶體顆粒是 SK Hynix 的另一成就，採用 20nm 製程開發的 6Gb LPDDR3 記憶體顆粒能夠加強其在高密度產品的競爭力，特別是採用在 3GB 6GB LPDDR3 這個目前最佳的高端行動設備之上。
.SK Hynix完成開發6Gb LPDDR3顆粒讓3GB容量記憶體封裝更薄、功耗更低 數碼新聞,
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